檢索結果:共1筆資料 檢索策略: "電子工程系".dept (精準) and ckeyword.raw="氟佈植處理"
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本論文為次微米低溫多晶矽P型薄膜電晶體以氟佈植處理之特性改善研究。即利用犧牲氧化層阻擋氟佈植處理對通道的傷害,並當源極和汲極形成的同時,氟離子將堆積在通道的表面,以形成Si-F強鍵結,能夠抑制在次微…